Бренд: Elecsuper

  • TPD2EUSB30DRTR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 72 Вт, емкость 1 пФ, уровень защиты ESD ±15 кВ возд. /± 15 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 2.0, USB 3.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD2EUSB30DRTRЧитайте далее

    В корзину
  • TPD4E001DBVR защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максимальный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 1 пФ, уровень защиты ESD ± 17 кВ возд. /± 12 кВ касание.

    В корзину
  • TPD4E05U06DQAR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе DFN2510-10L. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD4E05U06DQAR (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • TPD4E1U06DCKR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.4 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD4E1U06DCKRЧитайте далее

    В корзину
  • USBLC6-2P6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-563. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-2P6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • USBLC6-2SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 75 Вт, емкость 0.8 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-2SC6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • USBLC6-4SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-4SC6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • 2N7002BK — N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.3 А).

    В корзину
  • 2N7002DWH6327 — сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.3 А). Заряд затвора 2 нКл.

    В корзину
  • 2N7002ET1G — N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.3 А).

    В корзину
  • AO4407A полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Максимальное напряжение сток-исток Vds -30 В, максимальный ток стока Id -12 А, сопротивление открытого канала 9,5 мОм. Заряд затвора — 46 нКл.

    В корзину
  • AO4430 полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 13 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 мОм (при Vgs=10 В, Id =13 А). Заряд затвора 11 нКл.

    В корзину
  • AO4435 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -10.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 13.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-10 А).

    В корзину
  • AO4606 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 7.5 А / -4.6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 22 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

    В корзину
  • AOD536 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 39 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 15 нКл.

    В корзину
  • BSS138BKS сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.41 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
12
2232,33 

Корзина

Количество
4,31 
Количество
21,24 
Количество
1421,10 
Количество
17,90 
Количество
48,40 
Количество
101,92 
Количество
167,99 
Количество
221,56 
Количество
4,48 
Количество
221,41 
Количество
0,71