Бренд: HXY

  • FDS9435A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • HXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.

    В корзину
  • HXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.

    В корзину
  • HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

    В корзину
  • HXY60N02D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6 мОм (при Vgs=4.5 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2000 пФ. Заряд затвора 27 нКл.

    В корзину
  • HXY60N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 1317 пФ. Заряд затвора 17.6 нКл.

    В корзину
  • HXY7N65D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.4 Ом (при Vgs =10 В, Id = 3.5 А). Входная ёмкость 1130 пФ. Заряд затвора 24 нКл

    В корзину
  • HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.

    В корзину
  • HXY80N06D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКл

    В корзину
  • IPD068P03L3G N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.8 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-12 А), заряд затвора 45 нКл.

    В корзину
  • IRF1407PBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 120Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 7.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 60.8 нКл.

    В корзину
  • IRF540ZPBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 70 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 10.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 31.3 нКл.

    В корзину
  • IRF7104TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P+P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 95 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-5.8 А). Заряд затвора 10.6 нКл.

    В корзину
  • IRF7205PBF P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл.

    В корзину
  • IRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

    В корзину
  • IRF7404PBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 19 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-10 А). Заряд затвора 35 нКл.

    В корзину
22
6068,01 

Корзина

Количество
24,99 
Количество
1964,20 
Количество
314,93 
Количество
0,78 
Количество
1,01 
Количество
1,57 
Количество
25,50 
Количество
5,77 
Количество
47,40 
Количество
302,96 
Количество
49,95 
Количество
132,89 
Количество
1756,80 
Количество
20,65 
Количество
329,40 
Количество
2,31 
Количество
19,37 
Количество
705,60