Бренд: HXY

  • FDS9435A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • HXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.

    В корзину
  • HXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.

    В корзину
  • HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

    В корзину
  • HXY60N02D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6 мОм (при Vgs=4.5 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2000 пФ. Заряд затвора 27 нКл.

    В корзину
  • HXY60N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 1317 пФ. Заряд затвора 17.6 нКл.

    В корзину
  • HXY7N65D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.4 Ом (при Vgs =10 В, Id = 3.5 А). Входная ёмкость 1130 пФ. Заряд затвора 24 нКл

    В корзину
  • HXY80N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.8 мОм (при Vgs=10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1160 пФ. Заряд затвора 11.1 нКл.

    В корзину
  • HXY80N06D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 33 нКл

    В корзину
  • IPD068P03L3G N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.8 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-12 А), заряд затвора 45 нКл.

    В корзину
  • IRF1407PBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 120Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 7.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 60.8 нКл.

    В корзину
  • IRF540ZPBF N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 70 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 10.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 31.3 нКл.

    В корзину
  • IRF7104TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P+P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 95 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-5.8 А). Заряд затвора 10.6 нКл.

    В корзину
  • IRF7205PBF P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл.

    В корзину
  • IRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

    В корзину
  • IRF7404PBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 19 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-10 А). Заряд затвора 35 нКл.

    В корзину
9
3075,35 

Корзина

Количество
49,95 
Количество
132,89 
Количество
1756,80 
Количество
20,65 
Количество
329,40 
Количество
2,31 
Количество
19,37 
Количество
705,60