Отображение 97–112 из 340
FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.
FM25V20A-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40…85 °C, напряжение питания, мин. — 2 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В, корпус SOIC-8.
FM25W256-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 5.5 В, корпус SOIC-8.
HAD8542ARZ (AD8542ARZ) 2х канальный операционный усилитель для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение питания ±7 В, входной ток не более 200 пА, напряжение смещения нуля 3 мВ макс.
HMCP6002T-I/SN (MCP6002T-I/SN) 2х канальный операционный усилитель для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение питания ±7 В, входной ток не более 150 пА, напряжение смещения нуля 4 мВ макс.
Измерительный усилитель, 1 Усилитель, 125 мкВ, 0.9 В/мкс, 800 кГц, ± 1.35В до ± 18В, SOIC-8
IR2127STRPBF — одноканальный драйвер MOSFET и IGBT верхнего и нижнего плеча Infineon Technologies, SOIC8, 600 В, 250 мА, 12 В ~ 20 В.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!