Тип: MOSFET
Отображение 33–48 из 403
-
Транзистор AO4606
6,36 ₽В корзинуAO4606 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 7.5 А / -4.6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 22 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.
-
Транзистор AOD409
18,91 ₽В корзинуAOD409 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -18 А). Входная ёмкость 3635 пФ. Заряд затвора 25 нКл
-
Транзистор BRCS080N10SHRA
39,24 ₽В корзинуBRCS080N10SHRA N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 73 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.5 Ом (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Заряд затвора 37 нКл. Аналоги: IRFB4710PBF (Infineon), FDP090N10 (ONSEMI), STP60NF10 (ST), WMK80N08TS (Wayon), WMK100N10TS (Wayon)
-
Транзистор BSH205G2R
3,33 ₽В корзинуBSH205G2R P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -2.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 140 мОм (при Vgs =-4.5 В, Id = -2 А). Емкость 285 пФ. Заряд затвора 2.9 нКл








